亚纳秒被动调Q微芯片激光器

亚纳秒被动调Q微芯片激光器PULSELAS®-P系列是Alphalas公司被动Q开关微片激光器.纳秒被动调Q微芯片激光器提供了各种被动调Q激光器，脉冲持续时间低于1ns，峰值功率为1064nm，光束轮廓为TEM00。PULSELAS®-P激光器采用专有微芯片设计。单片激光腔永久对准，因此非常稳定。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器高功率版本可提供超过1.5 mJ的脉冲，脉冲持续时间为1纳秒，因此可直接从用于微芯片激光器的振荡器（无放大器）获得大于1.5 MW的***高峰值功率。各种型号的重复频率高达100kHz，平均功率范围为100MW至1W。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器内置频率发生器和外部TTL触发是大多数型号的标准功能。还可选择转换为绿色（532nm）和紫外线（355 nm、266 nm）。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器极其可靠和稳健的微芯片设计非常适合**的OEM工业应用。紧凑的设计***适合几乎任何系统集成。光纤抽运选项提供了*紧凑、*灵活的性能。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器具有极其广泛的应用范围，从光子晶体光纤中产生超连续光谱到内燃机点火和微纳加工。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器特点
被动调Q技术
结构非常紧凑
专有微芯片设计
1064nm的亚纳秒脉冲
市场上可直接从振荡器获得的***高峰值功率（>1.5 MW）和脉冲能量（>1.5 mJ）
重复频率高达100KHZ
平均功率高达1 W
外部触发，抖动低
频率转换为532nm,355和266纳米（可选）
其他波长（如946 nm、1342 nm）可根据要求使用纳秒脉冲
亚纳秒被动调Q微芯片激光器应用
材料加工
激光微纳微细加工
极硬材料（如钻石）的标记和切割
非线性光学
超连续谱产生
时间分辨荧光测量
DNA分析
激光雷达与激光测距
污染监测
激光诱导击穿光谱（LIBS）
炸药、内燃机和气体混合物的点火
亚纳秒被动调Q微芯片激光器规格参数

型号	Pulselas-P- 1064-100	Pulselas-P- 1064-200	Pulselas-P- 1064-300FC	Pulselas-P- ​​​​​​​1064-100-HP	Pulselas-P- ​​​​​​​1064-400-HP	Pulselas-P- ​​​​​​​1064-100-HE	Pulselas-P- ​​​​​​​1064-150-HE
波长	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm	1064nm
能量	6-10μJ @5KHZ	6-10μJ @5KHZ	15-20μJ @5KHZ	120μJ @1KHZ	400μJ @100HZ	1000μJ @100HZ	1500μJ @100HZ
平均功率	100mW@10KHZ	200mW@20KHZ	300mW@20KHZ	150mW@1KHZ	40mW@100HZ	100mW@100HZ	150mW@100HZ
脉宽	800ps	800ps	800ps	900ps	1000ps	900ps	1100ps
重复频率	10KHZ	20KHZ	15KHZ	***大2KHZ	***大0.15KHZ	0-0.1KHZ	0-0.1KHZ
光束质量	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00	TEM00
偏振比	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1	>100:1
光斑直径	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm	0.3mm
发散角（全角）	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad	6mrad
功率稳定性（1h)	<2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS	2%, RMS
工作温度	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃	18~30℃

亚纳秒被动调Q微芯片激光器规格参数