晶圆热退火炉

这款晶圆热退火炉是半导体晶片惰性气氛快速热退火系统,适合晶圆的***大直径为100mm,晶圆通过上部快速检修门手动装入腔室，并放置在热补偿石墨台上。加热器系统基于线性卤素灯，位于炉体下方。这种设计确保了均匀的晶圆加热，沿晶圆表面具有红外发射的非均匀吸收（例如，具有成形金属拓扑结构的晶圆）。
晶圆热退火炉允许执行相对较短的工艺，温度高达1000°С，***大加热速率高达40°С/s。对于与接触退火无关的应用，系统可在无石墨工作台的情况下运行，石墨工作台的加热速率可提高至200°С/s。***高温度下的退火时间可达10分钟。该室由铝制成，具有集成的水冷100mm石英窗口，用于在退火过程中监测晶片，也可用于安装可选的光学高温计。

晶圆热退火炉特点
•带水冷的铝制工艺室
•通过膜或涡旋（可选）泵对工艺室进行初步泵送
•晶闸管控制器的加热功率操作
•自动泵送和气体净化室，允许“一键式”工艺操作
•内置PID控制器的多级退火过程
•通过两个控制热电偶监测加热台温度
•光学高温计，用于额外控制晶圆表面温度（可选），可通过石英窗口沿晶圆表面进行X-Y温度扫描
•高运行间再现性
•易于操作和维护
晶圆热退火炉规格参数
工艺过程反应器中的极限压力:   <10Torr (可选<5×10^-3）
泵浦速率： 5 m^3/h 
反应器壁水冷： 是的
***大晶圆直径：100mm 
***大加热速率：200℃/s  (不带电极夹具）
***大加热速率：40℃/s  (带电极夹具）
***大加热温度：1000℃
热均匀性@100mm直径： +/-2(<1300℃）
真空退火：无
氧气退火：无
自动化退火：标配