这款
温度型少子寿命测试仪是为25℃~200℃范围内晶圆少数载流子复合寿命测量设计的温度决定型
少子寿命测定仪器。
温度型少子寿命测试仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和
瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。其中准稳态光电导寿命测量方法QSSPC非常适合监测多晶硅晶圆,掺杂扩散和低寿命样品。
瞬态光电导衰退适合较高少子寿命的晶圆测量。准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术寿命测量也得出隐含开路电压（对照度）曲线，与I-V曲线相当。
温度型少子寿命测试仪特色
单键识别硅片的关键特性，包括片材电阻，寿命，陷阱密度，发射极，饱和电流密度，电压
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温度型少子寿命测试仪应用
主要用途：测量25℃~200℃范围内晶圆少数载流子复合寿命
其他应用：
•监控初始材料质量
•检测过程中的重金属污染
晶圆加工
•评估表面钝化和发射极掺杂扩散
•使用隐含的I-V测量
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温度型少子寿命测试仪规格参数
可测值:寿命,电阻率,发射极饱和电流密度,陷阱密度,一个太阳Voc
可测温度范围：25℃~200℃
寿命测量范围:100 ns到大于10 ms
测量（分析）模式:准稳态光电导寿命QSSPC、瞬态寿命和广义寿命分析
电阻率测量范围：3–600）欧姆/平方英寸，（未掺杂）
可用光偏压范围：0–50个太阳
典型校准注射范围：10^13~10^16 cm^-3
可用光谱: 白光和红外照明
传感器面积: 40mm直径
样本大小，标准配置: 标准直径：40–210mm
晶圆厚度范围: 10–2000μm（校准）,可测量其他厚度
