多波长激光直写光刻机是全球**的
多波长激光光刻机，它提供325nm,375nm,405nm,445nm紫外光源对
光刻胶直写或
紫外敏感胶直接刻划获得微纳结构，直写面积高达12英寸，***小特征尺寸（宽度）可达1微米，适合掩膜，半导体，玻璃，
晶体，薄膜等诸多衬底。
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多波长激光直写
光刻机提供竖直和扫描直写模式，确保直接轨迹偏离小于100nm。微型激光直写
光刻机具有电动光学聚焦系统，提供快速精准的聚焦功能，从而适合各种厚度衬底的要求，并具有晶圆装载和卸载系统装备到衬底室供客户选配，增强清洁程度，提高工作量和用户安全程度。
多波长激光直写
光刻机兼容大多数商用光刻胶，比如SU8，shipley, AZ等，我们还对K-CL胶特别*化，用于微结构应用。
多波长激光直写光刻机特色
非常紧凑的桌面型设计
掩膜制作和激光直写
激光光源375nm 或405nm 任选
兼容所有商用光刻胶
对比度高达1x20
自动聚焦
竖直直写或扫描直写模式
多波长激光直写光刻机参数
直线直写速度：高达350mm/s
位移台分辨率：100nm
重复精度：100nm
晶圆直写面积：1-12英寸
衬底厚度：250um-10mm
激光光斑大小：0.5um-100um
标准准直精度：500nm
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