四探针方块电阻测量仪

四探针方块电阻测量仪是为Sheet Resistivity薄层电阻率测量设计的四点探针电阻测量仪器,满足各种材料的薄层电阻率测量,包括IV族半导体、金属和化合物半导体，以及平板显示器和硬盘中发现的新材料。
四探针方块电阻测量仪使用两个电流供应和两个电压传感探针，在各种材料上提供高度准确和可重复的薄层电阻率和厚度测量。该四探针方块电阻测量仪具有用户友*的“一键式”操作和自动校准功能。能够在90秒内测量50个位置，测量范围从1mΩ/sq到800kΩ/sq，***高可达8E11Ω/sq。
应用
P/N型式试验，硅衬底，Epi层，SOI，离子注入剂量和均匀性，多晶硅电阻率和厚度，金属沉积监测仪，硅化物工艺监测器，离子注入扩散，Poly gate过程监控器，ITO，金属，多晶硅、a-Si
四探针方块电阻测量仪规格参数
适用晶片尺寸：50、75、100、125、200 mm
测试直径：距离晶圆边缘不超过3mm
测量范围：1mΩ/sq。至800kΩ/平方。或8E9Ω/平方。
测量单位：Ω/平方。，Ω-cm，V/I，μ[T]，Å[T]
测量重复精度：<0.2%（典型）
快速检查：1、5、9个站点|5、6、9、10、13个站点ASTM/SEMI|X-图案或自定义站点
笛卡尔映射：任何站点间隔≥0.1 mm，***多6000个站点
电子精度：＜0.1%（精密电阻器）
当前分辨率：16位A/D
测量符合电压：125V