808nm叠层半导体激光器采用垂直堆叠激光二极管阵列巴条技术,可在准连续QCW模式下输出250W功率,可提供808nm和904nm激光波长。
808nm叠层半导体激光器采用免维护设计和**的被动冷却技术，没有使用微通道激光二极管列阵，从而不需要使用去离子水循环冷却,feichang适合工业激光应用。
808nm叠层半导体激光器*点
高功率,免维护
寿命长
杂散光小
适合恶劣环境使用
QCW准连续激光模式
现款现货
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叠层半导体激光器应用
DPSSL半导体泵浦固体激光器泵浦
光纤激光器泵浦
焊接
材料热处理
光胶固化
808nm叠层半导体激光器规格参数
| 型号 |
GSxx-Y
-150-808(Q) |
GSxx-Y
-200-808(Q) |
GSxx-Y
-250-808(Q) |
| 中心波长 |
808 ±3 nm |
808 ±3 nm |
808nm±3nm |
| 输出光功率 |
150W |
200W |
250W |
| 巴条数 |
1-12个 |
1-12个 |
1-12个 |
| 光谱带宽FWHM |
≤6nm |
≤5nm |
≤5nm |
| 光谱带宽FW90%E |
≤8nm |
≤7nm |
≤8nm |
| 偏振模式 |
TE |
TE |
TE |
| 波长温度系数 |
~0.28nm/℃ |
~0.28nm/℃ |
~0.33nm/℃ |
| 工作电流Iop |
≤160A |
≤200A |
≤250A |
| 阈值电流Ith |
≤20A |
≤30A |
≤30A |
| 工作电压Vop |
≤2V |
≤2V |
≤2V |
| 斜效率 |
≥1.1W/A |
≥1.1W/A |
≥1.1W/A |
| 功耗效率 |
≥50% |
≥50% |
≥50% |
| 脉宽 |
≤0.3ms |
≤0.3ms |
≤0.3ms |
| 占空比 |
≤1% |
≤1% |
≤1% |
| 工作温度 |
15-25℃ |
15-25℃ |
15-25℃ |
| 存储温度 |
-40~60℃ |
-40~60℃ |
-40~60℃ |
| 建议热沉功率 |
≥6W |
≥8W |
≥10W |
