这款
光刻准分子激光器是专业为半导体工艺和微电子激光处理设计的
高性能深紫外准分子激光器,适合超净间使用,满足掩膜版检测,紫外光刻,半导体处理,激光测量等应用要求。
光刻
准分子激光器采用***新的全金属/陶瓷技术,从而获得***长的激光寿命,不需要频繁维护,全面满足微电子和半导体工业超净间应用要求。
光刻准分子激光器特点
激光寿命高达100亿次脉冲
激光稳定性高达1%
193nm单次ArF气体注入可产生20亿次激光脉宽
阳离子处理工艺适合超净间使用
满足SEMI S2标准
光刻准分子激光器 EX10SE规格参数(其它规格参数可提供)
工作物质 |
F2 |
ArF |
KrF |
XeCl |
XeF |
波长 nm |
157 |
193 |
248 |
308 |
351 |
***大能量. mJ |
3 |
20 |
35 |
15 |
15 |
能量范围 mJ |
1-3 |
5-20 |
10-35 |
7-15 |
7-15 |
***大稳定能量200Hz |
2.5 |
15 |
30 |
15 |
12 |
***大平均功率W @300/600Hz |
0.6/1.2 |
4/7 |
6/12 |
3/6 |
3/6 |
稳定性标准偏移 |
< 1% at max. repetition rate |
重复频率, Hz |
300/600/1000 |
动态气体寿命 |
200E6 |
200E6 |
500E6 |
100E6 |
300E6 |
静态气体寿命@ 50% 能量 |
15 days |
60 days |
90 days |
>1 Year |
90 days |
脉宽, ns |
12-15 |
光束大小, mm |
5X 3 |
8 X 3 |
光束发散角(全角), mRad |
1 X 2 |
制冷 |
空气 |
光学窗口服务间隔 |
500E6 |
300E6 |
1000E6 |
100E6 |
300E6 |