微波探测光致电流瞬态谱仪采用微波技术探测材料的光生电流瞬态光谱值,feichang适合温度依赖的少子寿命测量和半导体界面陷阱。

单点少子寿命测量仪系统是经济型晶圆寿命测量仪器,对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。单点少子寿命测量仪可测量小于156mm厚度的晶锭,没有自动化配置,手工操作。可增配电阻率测试功能,适合硅，晶圆片和晶锭寿命测量。 

单晶多晶硅片寿命测试仪是专用为晶圆品质检验,测量少子寿命,测量光电导率和电阻率等研发的晶圆寿命测试仪器

晶圆电阻率测试仪采用非接触方式测量晶圆电阻率,测量P/N类型和晶圆厚度,适合硅材料和其它材料的Sheet Resistance测量。

单点硅片测厚仪是采用单点测厚技术为硅晶圆厚度测量设计的硅晶圆测厚仪器。适合手动测量单点的晶圆厚度。

晶圆翘曲度厚度测试仪是zhuanye为晶圆翘曲度测量和晶圆厚度测量设计的晶圆厚度翘曲度测量仪器,可测量晶圆翘曲度,晶圆Bow/warp,晶圆厚度,晶圆平整度,晶圆几何形状尺寸等物理量。

高分辨率晶圆厚度测试仪能够高精度测量硅晶圆厚度和硅晶圆厚度变化,分辨率高达10nm,可满足不同的晶圆厚度范围。

Suns-Voc后扩散测试仪是Suns-Voc后扩散过程控制的理想仪器，适合用于浆料烧结*化和过程控制。

太阳能电池I-V测试仪能够高精度高效率地测量太阳能I-V曲线和Suns-Voc数据，可高精度测量传统太阳能电池和背接触太阳能电池。

这款温度型少子寿命测试仪是为25℃~200℃范围内晶圆少数载流子复合寿命测量设计的温度决定型少子寿命测定仪器。温度型少子寿命测试仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。

这款晶圆少子寿命测量仪是zhuanye为晶圆少数载流子复合寿命测量设计的少子寿命测试仪器。晶圆少子寿命测量仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。

硅锭寿命测量仪是精确的非接触式测量本体寿命的仪器,适合任意生长硅锭表面任意曲率半径硅锭测量寿命。也适合单晶硅硅锭和多晶硅硅锭寿命测量。

超高真空开尔文探针系统帮助用户充分利用真空下的工作功能和接触电位差（CPD）测量。每个系统都配有高质量的手动或电动转换器，可实现可靠和准确的针尖到样品定位，无与伦比的跟踪系统在测量过程中始终保持针尖分离恒定。即使在真空下，功函数的分辨率也为1-3mev。

表面光电压谱仪是zhuanye为研究光敏材料（如有机半导体、太阳能电池或光敏染料）设计的表面光电压仪器,Surface Photovoltage.

我们的单点开尔文探针系统采用非零信号检测方法对材料的功函数/费米能级进行feichang高质量的测量。

这款KPFM开尔文探针力显微镜,SKPM扫描开尔文探针力显微镜(Kelvin Probe Force Microscopy)可以访问从50mm到350mm的样品的二维和三维功函数图。扫描开尔文探针的功函数分辨率为1-3meV，探针尖端直径的空间分辨率为0.05mm，可对功函数、接触电位差和伏*电位进行可靠、可重复的测量。

环境压力光电子发射光谱仪系统是为大气环境下光电子能谱测量设计的光电子能谱仪器,Photoemission Spectroscopy，通过空气中的光电发射测量材料的**功函数，不需要真空，具有英国和quanqiu**。环境压力光电子发射光谱仪系统在3.4eV到7.0 eV的激发范围内能够测量金属的**功函数（精度：0.05 eV）和半导体的电离电位。

这套聚焦离子束蚀刻系统是一种超高真空UHV条件多功能FIB系统,既可以配置为扫描电子显微镜SEM,也可以配置为结合SEM和高性能聚焦离子束FIB的双束平台。

超高真空极低温强磁场扫描隧道显微镜是高性能扫描隧道显微镜应用于前沿表面科学研究的理想工具,实现了***低的基温和强磁场。基问可达40mK (typecal 30 mK)，可以根据研究目标定制样品制备系统,是研究超导性和低温物理的基础。

低温高真空针尖增强拉曼光谱系统采用quanqiu**种低温单分子成像方法,在低温高真空条件下，可实现亚纳米级拉曼光谱成像，提高信噪比和灵敏度。