光纤耦合白光光源WLS100是一款交钥匙的光纤耦合白光源，***大限度地将宽带白光耦合到端接光纤（FC、SMA等）中。

太阳光模拟器测试仪是为产品光稳定性测试设计的光谱辐射仪器,可精确测量样品平面上的光谱辐照度。

这款分光辐射计是zhuanye为光动力学疗法PDT光源的光谱辐照度定标而设计的光谱辐照度测量仪器和光疗辐射计定标仪。

这款夜视兼容测试仪NVC150是为评估开发夜视功能产品（从护目镜到显示器）的夜视兼容性能NVIS评估仪器和夜视光谱辐射计。

光源蓝光危害测试仪ISR300-PSL是为光源灯具蓝光危害评估测试设计的光谱辐照仪器,帮助灯具制造商和研发机构快速测试评估光源灯具蓝光危害性。

光生物安全性测试仪是为灯具光源的光生物安全性测量分析设计的光生物安全性测量仪器,帮助制造商或评估机构*快地获得灯具光源的光生物安全性数据。

光源频闪分析仪是为灯具频闪分析设计的灯具频闪测量仪，帮助光源制造商深入了解光源频闪问题。光源频闪分析仪由一个紧密匹配的光度检测器、高速放大器和数据采集组成，提供频闪百分比、频率和指数等频闪指标。

全波段太阳光谱辐射计是为太阳光谱辐射测量而设计研发的280nm~2500nm宽范围光谱辐射测量系统。采用热控制、环境密封外壳内的双光谱辐射计组成，提供可靠、高精度的紫外-可见-红外光谱辐射测量。

太阳紫外辐射测量系统是为太阳紫外线辐射分析测量设计的太阳紫外线辐照测量系统,采用双光谱辐射计结构,提供可靠、高精度的太阳紫外线测量.

显示器视觉*性测量仪是为显示器视觉*性分析测试设计的光谱辐射计,提供高动态范围显示*性和较高测量精度。

这款晶圆热退火炉是半导体晶片惰性气氛快速热退火系统,适合晶圆的***大直径为100mm,晶圆通过上部快速检修门手动装入腔室，并放置在热补偿石墨台上。加热器系统基于线性卤素灯，位于炉体下方。这种设计确保了均匀的晶圆加热，沿晶圆表面具有红外发射的非均匀吸收（例如，具有成形金属拓扑结构的晶圆）。

这款晶圆真空氧化退火热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温退火处理系统，可对晶圆真空退火，氧气退火处理。 铝室的*殊设计允许在极高温度（高达1300°С）下进行热退火，并结合长时间退火（高达60分钟）。

等离子体增强化学气相沉积系统是采用PECVD技术zhuanye为介质膜镀膜设计的化学气相沉积设备。

电感耦合等离子体化学气相沉积系统是为等离子化学蚀刻系统应用设计的反应离子蚀刻RIE和ICPCVD系统,将反应离子刻蚀RIE和电感耦合等离子体刻蚀ICP两种等离子体化学刻蚀模式相结合.

电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动，也适用于中试生产。考虑到“提离”工艺的具体*点，该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉积。

磁控溅射物理气相沉积PVD系统是多功能高压PVD系统,用于磁控溅射和多组分薄膜的热蒸发，用于批量晶圆物理气相沉积加工.

这款高压溅射PVD系统是为晶圆溅射金属膜,磁性材料,多组分氧化物应用设计的高压物理气相沉积系统,得益于它灵活的配置和*殊的晶圆加热器设计,PVD可以在温度***高900℃的衬底上溅射金属膜层和磁性材料,***大容纳晶圆直径为150mm,订制后***大可容纳200mm直径晶圆。

这款混合异质结构分子束外延系统具有双反应器,feichang适合А3В5和А2В6异质结构生长应用,也可用于epi晶圆研发和试生产。

三腔室分子束外延系统是带有三个MBE分子束外延生长腔室的异质结材料MBE生长设备,可用于在高达∅100mm的衬底上以及三个2英寸以上衬底上一次精确生长外延层,获得极*的厚度和均匀性能。三腔室分子束外延系统使用PA-МВЕ和NH3-MBE*殊型号的MBE生长设备,可生长InAlGaAsSb或InGaAlN外延异质结构。

这款III族氮化物分子束外延系统zhuanye为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供feichang广泛的可用生长参数（有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度）。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供极高的温度（>1200℃）以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源，可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层，为分子束外延（MBE）创造了记录。